學生專題實作成果

鎳鈷氧化物作為超級電容器電極材料的製備與電化學性能測試

鎳鈷氧化物因協同效應具有比單一成分元素更高的導電性和電化學活性，故本次實驗以水熱法於發泡鎳上直接生長鎳鈷氧化物，並透過簡易的實驗參數調整，合成出具有不同形貌的鎳鈷氧化物電極材料。

利用太陽光驅動硫化銅以及聚多巴胺石墨烯光熱轉換奈米複合材料用於重油回收之應用

The ultimate goal, we expect that this oil-water separation module can use green energy (sunlight) to solve the viscosity problem of oil spills, reduce the difficulty of recovery and achieve a more impressive recovery effect, compared with other methods such as dispersant dissipation and adsorbent absorption.

高功率脈衝磁控濺鍍製備具備梯度層 結構之鉻基類鑽碳膜於靜音鏈片

類鑽碳(Diamond-like carbon, DLC)具有高硬度、低摩擦係數及低表面能之物理特性，常被應用於刀、模具保護及機械潤滑等。在機械、半導體工業等領域中受到極大的重視。

透明質酸修飾之靛氰綠聚乳酸甘醇酸奈米膠囊作為診斷淋巴水腫之螢光探針

In this study, we provide a new type multi-functionalized PLGA (poly(lactic-co-glycolic acid)) nanocarrier to capsule ICG molecules into the PLGA nanosphere (ICG@PLGA NPs) by using the microemulsion method. Through the chemical cross-linking reaction of EDC and NHS, the surface of ICG@PLGA NPs is modified with PEG and HA. The optical properties of detection can be observed by UV-Vis spectrometer and fluorescence spectrometer. The material morphology can be detected by TEM. The vibrational detection of functional groups in materials by FTIR. The surface charge of nanoparticles can be detected by zeta potential. According to the test results of these analytical instruments, we can infer that HA-PEG-ICG@PLGA were successfully prepared.

SnO2/ ZnIn2S4 複合材料於光催化分解水產氫之應用

本研究利用簡單的水熱合成法，以二氧化錫為前驅物與硫化銦鋅複合，並與其他材料 之複合及摻雜比較，分別探討其光催化分解水產生氫氣的效能，並針對所合成出的二氧化 錫/硫化銦鋅進行分析其形貌、晶體結構、成分組成與光學特性等。期望透過此計畫對於光 催化應用的研究能更進一步了解二氧化錫在複合、摻雜不同材料下對於材料特性與光催化 效能之變化，也期許能在未來提供此複合材料於不同光催化領域的實際應用。

以水熱法及電化學沉積法在碳布上製備Fe2O3 應用於超級電容器電極之比較

After electrodepositing, the shape of the sample is similar with the mesoporous 3D lattice, and it is attached to the (CF) in the form of nano-sheets, which increases the contact surface area between the material surface and the electrolyte, and significantly improves the area capacitance. This study preliminarily found that the 3D grid-like nanostructures were successfully grown on the carbon cloth, and the growth status was observed by SEM, and its surface appearance was also superior to that of the hydrothermal method.

二硫化鉬n型二維半導體材料在p-n異質結構光感測器之應用研究

光感測器透過光能轉換成電能，應用於日常生活中的消費性電子、汽車工業、環境和醫療等領域。二維半導體材 料由於其特殊的層狀結構在單層時可達到原子級的厚度與塊狀材料展現不同的光電特性。因此本研究所研製光感 測器之感測材料使用二硫化鉬(MoS2 )半導體，以機械剝離法(Mechanical exfoliation)分離成層狀並轉印至p型矽基 板分析材料性質。檢測確認為單層結構，其厚度和能隙分別為0.65 nm和1.83 eV。p-n型異質結構的光感測器，在 10 V偏壓下未照光和照光之光暗電流比為4.74。

液態金屬合成三元二維材料其光感測性質

此實驗在氧化鋅晶種層的基板上成功製備了三元相薄膜。透過XRD鑑定，確定其成分為ZnGa2O4 ( JCPDS 71-0843) 。並且使用OM、AFM分析其表面形貌。後續利用此薄膜進行光感測測試，結果顯示光響應電流為16.52μm，響應與歸復時間分別為0.54秒和20秒。本研究成功的利用創新方法製備了優質的三元相薄膜半導體。

前驅物類型和CVD製程對二維MoN奈米材料合成的影響

過渡金屬氮化物（Transition metal nitrides, TMNs）是一種層狀材料，具有多種優異的物理性能和化學特性，在各個領域有廣泛的應用。本研究採用化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition, CVD）成功合成了新型的二維氮化鉬（Molybdenum Nitride, MoN）奈米材料。我們利用高溫管形爐對過渡金屬硫化物進行氨化置換生成TMN或者透過CVD將MoN直接生長在SiO2/Si晶圓基材上。通過使用各種檢測儀器，我們確認了這些材料的結構和性質，以在未來的奈米電子元件中應用2D TMNs。